"Intel" объявил о создании памяти нового поколения
| "STATUS QUO", Харьков, 07.12.2011, 17:21 |
|
||||
"Intel" и "Micron Technology" объявили о создании первой в мире 20-нанометровой NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек емкостью 128 Гбит. Об этом 7 декабря сообщили "SQ" в пресс-службе "Intel". Первый монолитный модуль на 128 Гбит позволяет создать чип размером с ноготь емкостью 1 террабит, используя всего 8 кристаллов. На основе новой памяти будут создавать более эффективные и дешевые твердотельные накопители для смартфонов, планшетов и промышленных систем хранения данных. К поставкам тестовых образцов модулей емкостью 128 Гбит планируется приступить в январе, а в первой половине 2012 г. - к серийному производству.
Справка "SQ". Корпорация "Intel" - ведущий мировой производитель полупроводниковых компонентов. "Micron Technology, Inc." выпускает и продает NAND-, NOR- и DRAM-память, другие полупроводниковые компоненты и модули памяти для использования в компьютерах, потребительской электронике, сетевом и встраиваемом оборудовании и мобильных продуктах.
